Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上
立创商城:
N沟道 250V 25A
欧时:
### Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin TO-252 T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
The IPD600N25N3 G is a 250V N-channel Power MOSFET ideally suited for high-frequency switching, achieving excellent performance in applications such as synchronous rectification for AC-DC SMPS and motor control. The OptiMOS™ MOSFET is optimized for hard commutation ruggedness, achieving low Qrr and lower peak reverse recovery charges. It is performance leading benchmark technologies, perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-DC converters, uninterruptable power supplies UPS and inverters for DC motor drives.
DeviceMart:
MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
漏源极电阻 0.051 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 136 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 250 V
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 1770pF @100VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 136 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.41 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Class D audio amplifiers, Isolated DC-DC converters, Synchronous rectification for AC-DC SMPS
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17