INFINEON IPP80N06S2L-07 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 7 mohm, 10 V, 1.6 V
OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列
OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
N 通道 - 增强模式
符合汽车 AEC Q101 规格
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色封装（无铅）
超低 Rdson
得捷:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
立创商城:
N沟道 55V 80A
欧时:
### Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装（无铅） 超低 Rdson ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
贸泽:
MOSFET N-Ch 55V 80A TO220-3 OptiMOS
安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin TO-220 Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB
Win Source:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 7 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 210 W
阈值电压 1.6 V
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
连续漏极电流Ids 80A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 3160pF @25VVds
额定功率Max 210 W
下降时间 31 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 210W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 9.25 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
制造应用 Single-ended motors, Solenoids control, Valves control, Lighting
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPP80N06S2L-07 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPP80N06S2L07AKSA2 英飞凌 | 类似代替 | IPP80N06S2L-07和IPP80N06S2L07AKSA2的区别 |
SPP80N06S2L-07 英飞凌 | 功能相似 | IPP80N06S2L-07和SPP80N06S2L-07的区别 |