晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 16 A, 500 V, 0.4 ohm, 10 V, 5.5 V
表面贴装型 N 通道 500 V 16A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXFA)
立创商城:
N沟道 500V 16A
得捷:
MOSFET N-CH 500V 16A TO263
e络盟:
晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 16 A, 500 V, 0.4 ohm, 10 V, 5.5 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin2+Tab D2PAK
额定电压DC 500 V
额定电流 16.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.4 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 5.5 V
输入电容 2.25 nF
栅电荷 43.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 16.0 A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 2250pF @25VVds
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IXFA16N50P IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXTP16N50P IXYS Semiconductor | 完全替代 | IXFA16N50P和IXTP16N50P的区别 |
IXTA16N50P IXYS Semiconductor | 完全替代 | IXFA16N50P和IXTA16N50P的区别 |
IXFP16N50P IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXFA16N50P和IXFP16N50P的区别 |