INFINEON IPD50P04P4L-11 晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -40 V, 0.0082 ohm, -10 V, -1.7 V
OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET
**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。
增强型模式
雪崩等级
低切换和传导功率损耗
无铅引线电镀；符合 RoHS 标准
标准封装
OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C
### MOSFET ，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0082 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 58 W
阈值电压 2.2 V
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
连续漏极电流Ids 50A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 3900pF @25VVds
额定功率Max 58 W
下降时间 39 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 58W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 High-Side MOSFETs for motor bridges half-bridges, H-bridges, 3-phase-motors, Bridge configuration could be realized with 40V P-Channel as high side device with no need of charge pump
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPD50P04P4L-11 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
AOD4185 万代半导体 | 功能相似 | IPD50P04P4L-11和AOD4185的区别 |
AOI4185 万代半导体 | 功能相似 | IPD50P04P4L-11和AOI4185的区别 |
SUD50P04-15 Vishay Siliconix | 功能相似 | IPD50P04P4L-11和SUD50P04-15的区别 |