CoolMOSTM功率晶体管 CoolMOSTM Power Transistor
Summary of Features:
Target Applications:
漏源极电阻 0.32 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 89 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 550 V
连续漏极电流Ids 10.0 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 1020pF @100VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 89W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IPI50R350CP Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPW50R350CP 英飞凌 | 完全替代 | IPI50R350CP和IPW50R350CP的区别 |