IS42S16100E-7TLI

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IS42S16100E-7TLI概述

RAM, ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口,具有可编程 CAS 等待时间(2/3 时钟)。 可使用管道流程实现高速数据传输,且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能,且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列,工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号,请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列:连续/交错;可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM

动态 RAM, ISSI

**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口,具有可编程 CAS 等待时间(2/3 时钟)。 可使用管道流程实现高速数据传输,且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能,且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列,工作电源为 3.3V。

LVTTL 接口

有关输入/输出信号,请参考时钟输入的上升边缘

可编程脉冲序列:连续/交错;可编程脉冲长度

每个时钟周期的随机列地址

自刷新和自动刷新模式


得捷:
IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II


欧时:
### 动态 RAM, ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口,具有可编程 CAS 等待时间(2/3 时钟)。 可使用管道流程实现高速数据传输,且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能,且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列,工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号,请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列:连续/交错;可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM


安富利:
DRAM Chip SDRAM 16M-Bit 1Mx16 3.3V 50-Pin TSOP-II


Chip1Stop:
DRAM Chip SDRAM 16M-Bit 1Mx16 3.3V 50-Pin TSOP-II


Verical:
DRAM Chip SDRAM 16Mbit 1Mx16 3.3V 50-Pin TSOP-II


DeviceMart:
IC SDRAM 16MBIT 143MHZ 50TSOP


Win Source:
IC SDRAM 16MBIT 143MHZ 50TSOP


IS42S16100E-7TLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 150 mA

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 50

封装 TSOP-50

外形尺寸

长度 21.08 mm

宽度 10.29 mm

高度 1.05 mm

封装 TSOP-50

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS42S16100E-7TLI
型号: IS42S16100E-7TLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:RAM, ISSI **ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口,具有可编程 CAS 等待时间(2/3 时钟)。 可使用管道流程实现高速数据传输,且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能,且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列,工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号,请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列:连续/交错;可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM

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