IPB77N06S3-09参数规格_中文资料_数据手册PDF

IPB77N06S3-09概述

的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor

表面贴装型 N 通道 77A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2

得捷:
MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3

贸泽:
MOSFET N-Ch 55V 77A D2PAK-2

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 77A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK

Win Source:
MOSFET N-CH 55V 77A D2PAK

IPB77N06S3-09中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 77.0 A

极性 N-CH

耗散功率 107 W

输入电容 5.34 nF

栅电荷 103 nC

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 77.0 A

上升时间 51 ns

输入电容Ciss 5335pF @25VVds

下降时间 51 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 107W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3-2

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPB77N06S3-09

型号： IPB77N06S3-09

描述：的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor

替代型号IPB77N06S3-09