OptiMOS㈢ -T电源晶体管 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
表面贴装型 N 通道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
得捷:
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 55V 100A D2PAK-2
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK
Win Source:
MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
额定电压DC 55.0 V
额定电流 100 A
通道数 1
漏源极电阻 3 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 300 W
输入电容 21.6 nF
栅电荷 480 nC
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
连续漏极电流Ids 100 A
上升时间 67 ns
输入电容Ciss 21620pF @25VVds
下降时间 60 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPB100N06S3-03 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPB100N06S3-04 英飞凌 | 类似代替 | IPB100N06S3-03和IPB100N06S3-04的区别 |
IPB100N06S3L-04 英飞凌 | 类似代替 | IPB100N06S3-03和IPB100N06S3L-04的区别 |