IPB120N06S4-H1

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IPB120N06S4-H1概述

的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor

Summary of Features:

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N-channel - Enhancement mode
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AEC qualified
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MSL1 up to 260°C peak reflow
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175°C operating temperature
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Green Product RoHS compliant
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100% Avalanche tested

Benefits:

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world"s lowest RDS at 60V on 
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highest current capability
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lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
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robust packages with superior quality and reliability
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Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
IPB120N06S4-H1中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 120A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Solenoids control, Valves control, Lighting, Single-ended motors

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IPB120N06S4-H1
型号: IPB120N06S4-H1
描述:的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor
替代型号IPB120N06S4-H1
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