IPB80N04S3H4ATMA1

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IPB80N04S3H4ATMA1概述

D2PAK N-CH 40V 80A

表面贴装型 N 通道 80A(Tc) 115W(Tc) PG-TO263-3-2


得捷:
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3


IPB80N04S3H4ATMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 115W Tc

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 80A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 3900pF @25VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 115W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3-2

外形尺寸

封装 TO-263-3-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Thus OptiMOS-T2 40V products based on Infineon’s advanced trench technology will be the benchmark for next generation of automotive applications in energy efficiency, CO2 reduction, e-drives., OptiMOS-T2 40V addresses all kind of EPS motor control, 3-phase and H-bridge motors, HVAC fan control, elec

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

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型号: IPB80N04S3H4ATMA1
描述:D2PAK N-CH 40V 80A

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