的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor
N-Channel 55V 100A Tc 214W Tc Surface Mount PG-TO263-3-2
得捷:
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK
Win Source:
MOSFET N-CH 55V 100A TO-263
额定电压DC 55.0 V
额定电流 100 A
极性 N-CH
耗散功率 214W Tc
输入电容 21.6 nF
栅电荷 480 nC
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 100 A
上升时间 58 ns
输入电容Ciss 17270pF @25VVds
额定功率Max 214 W
下降时间 55 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 214W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3-2
封装 TO-263-3-2
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPB100N06S3L-04 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPB100N06S3-03 英飞凌 | 类似代替 | IPB100N06S3L-04和IPB100N06S3-03的区别 |
IPB100N06S3L-03 英飞凌 | 类似代替 | IPB100N06S3L-04和IPB100N06S3L-03的区别 |