IPB80N06S4L05ATMA1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IPB80N06S4L05ATMA1概述

D2PAK N-CH 60V 80A

表面贴装型 N 通道 60 V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2

得捷:
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin2+Tab TO-263

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

IPB80N06S4L05ATMA1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 107 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 80A

上升时间 4 ns

输入电容Ciss 8180pF @25VVds

下降时间 13 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 107W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPB80N06S4L05ATMA1

型号： IPB80N06S4L05ATMA1

制造商： Infineon 英飞凌

描述：D2PAK N-CH 60V 80A

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替代型号IPB80N06S4L05ATMA1

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