IPB100N08S2L07ATMA1概述
N沟道 75V 100A
表面贴装型 N 通道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
欧时:
Infineon MOSFET IPB100N08S2L07ATMA1
立创商城:
N沟道 75V 100A
得捷:
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
IPB100N08S2L07ATMA1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 300 W
漏源极电压Vds 75 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 56 ns
输入电容Ciss 5400pF @25VVds
下降时间 22 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Valves control, Solenoids control, Lighting, Single-ended motors
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
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