IPB120N06N G概述
MOSFET N-CH 60V 75A TO-263
表面贴装型 N 通道 75A（Tc） 158W（Tc） D²PAK（TO-263AB）
得捷:
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 75A TO-263
IPB120N06N G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 75.0 A
耗散功率 158W Tc
输入电容 2.10 nF
栅电荷 62.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 75.0 A
输入电容Ciss 2100pF @30VVds
额定功率Max 158 W
耗散功率Max 158W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-2
外形尺寸
封装 TO-263-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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