Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPB70N10S3L12ATMA1, 70 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
OptiMOS™T 功率 MOSFET
OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
N 通道 - 增强模式
符合汽车 AEC Q101 规格
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色产品（符合 RoHS 标准）
得捷:
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
欧时:
Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPB70N10S3L12ATMA1, 70 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin2+Tab TO-263
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
极性 N-CH
耗散功率 125 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 70A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 4270pF @25VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3-2
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3-2
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 48V DC/DC, HID lighting, 48V inverter
RoHS标准
含铅标准 无铅
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPB70N10S3L12ATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IXFH80N10 IXYS Semiconductor | 功能相似 | IPB70N10S3L12ATMA1和IXFH80N10的区别 |
IXTA80N10T7 IXYS Semiconductor | 功能相似 | IPB70N10S3L12ATMA1和IXTA80N10T7的区别 |