Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPB80N06S209ATMA1, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列
OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
N 通道 - 增强模式
符合汽车 AEC Q101 规格
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色封装（无铅）
超低 Rdson
欧时:
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPB80N06S209ATMA1, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
得捷:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
极性 N-CH
耗散功率 190W Tc
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 80A
上升时间 29 ns
输入电容Ciss 2360pF @25VVds
下降时间 28 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 190W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3-2
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3-2
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPB80N06S209ATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPB80N06S209ATMA2 英飞凌 | 完全替代 | IPB80N06S209ATMA1和IPB80N06S209ATMA2的区别 |