IPB77N06S212ATMA1概述
D2PAK N-CH 55V 77A
N-Channel 55V 77A Tc 158W Tc Surface Mount PG-TO263-3-2
得捷:
MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 77A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
IPB77N06S212ATMA1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 158W Tc
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 77A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 1770pF @25VVds
下降时间 26 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 158W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3-2
外形尺寸
封装 TO-263-3-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
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替代型号IPB77N06S212ATMA1
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPB77N06S212ATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
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