IPP90N06S4L-04

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IPP90N06S4L-04概述

Infineon OptiMOS™ T2 功率 MOSFETInfineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET 晶体管,可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。 OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 AEC 合格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色产品(符合 RoHS 标准) ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

OptiMOS™ T2 功率 MOSFET

Infineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET ,可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。

OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式

AEC 合格

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

绿色产品(符合 RoHS 标准)

IPP90N06S4L-04中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 90A

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 10000pF @25VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.57 mm

高度 15.95 mm

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPP90N06S4L-04
型号: IPP90N06S4L-04
制造商: Infineon 英飞凌
描述:Infineon OptiMOS™ T2 功率 MOSFET Infineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET 晶体管,可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。 OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 AEC 合格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色产品(符合 RoHS 标准) ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
替代型号IPP90N06S4L-04
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IPP90N06S4L-04

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

STP60NF06

意法半导体

功能相似

IPP90N06S4L-04和STP60NF06的区别

STD60NF06T4

意法半导体

功能相似

IPP90N06S4L-04和STD60NF06T4的区别

STD86N3LH5

意法半导体

功能相似

IPP90N06S4L-04和STD86N3LH5的区别

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