IPB80N06S2L07ATMA1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IPB80N06S2L07ATMA1概述

D2PAK N-CH 55V 80A

N-Channel 55V 80A Tc 210W Tc Surface Mount PG-TO263-3-2

得捷:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

IPB80N06S2L07ATMA1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 210W Tc

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 80A

输入电容Ciss 3160pF @25VVds

耗散功率Max 210W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3-2

外形尺寸

封装 TO-263-3-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPB80N06S2L07ATMA1

型号： IPB80N06S2L07ATMA1

描述：D2PAK N-CH 55V 80A

替代型号IPB80N06S2L07ATMA1

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IPB80N06S2L07ATMA1 Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
IPB80N06S2L07ATMA3 英飞凌	功能相似	IPB80N06S2L07ATMA1和IPB80N06S2L07ATMA3的区别

型号/品牌

代替类型

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IPB80N06S2L07ATMA1

Infineon 英飞凌

当前型号

IPB80N06S2L07ATMA3

英飞凌

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