IPB80N08S207ATMA1概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 0.0055 ohm, 10 V, 3 V
Summary of Features:
- .
- N-channel Logic Level - Enhancement mode
- .
- Automotive AEC Q101 qualified
- .
- MSL1 up to 260°C peak reflow
- .
- 175°C operating temperature
- .
- Green package lead free
- .
- Ultra low Rdson
- .
- 100% Avalanche tested
Benefits:
- .
- world"s lowest RDS at 75V on in planar technology
- .
- highest current capability
- .
- lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
- .
- robust packages with superior quality and reliability
- .
- Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
IPB80N08S207ATMA1中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.0055 Ω
极性 N-CH
耗散功率 300 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 75 V
连续漏极电流Ids 80A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 4700pF @25VVds
下降时间 30 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3-2
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Solenoids control, Single-ended motors, Lighting, Valves control
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
在线购买IPB80N08S207ATMA1