Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPD90N04S304ATMA1, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
OptiMOS™T 功率 MOSFET
OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
N 通道 - 增强模式
符合汽车 AEC Q101 规格
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色产品（符合 RoHS 标准）
得捷:
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
立创商城:
N沟道 40V 90A
欧时:
Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPD90N04S304ATMA1, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
艾睿:
This IPD90N04S304ATMA1 power MOSFET from Infineon Technologies can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 136000 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C. This device is made with optimos technology.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin2+Tab TO-252
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive 3-Pin2+Tab TO-252 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 90A; 136W
Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
极性 N-CH
耗散功率 136 W
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 90A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 5200pF @25VVds
额定功率Max 136 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 136W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 OptiMOS-T 40V addresses to small loads control switching 3-phase and H-bridge motors, electric pumps, etc. especially in combination with PWM control., Body applications
RoHS标准
含铅标准 Lead Free