Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPB47N10SL26ATMA1, 47 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
SIPMOS® N 通道 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
欧时:
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPB47N10SL26ATMA1, 47 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
艾睿:
This IPB47N10SL26ATMA1 power MOSFET from Infineon Technologies can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 175000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This device utilizes sipmos technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 47A 3-Pin2+Tab TO-263
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 47A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
极性 N-CH
耗散功率 175 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 47A
上升时间 100 ns
输入电容Ciss 2000pF @25VVds
下降时间 70 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 175W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 48V DC/DC, 48V inverter, HID lighting
RoHS标准
含铅标准 无铅
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPB47N10SL26ATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPB47N10SL-26 英飞凌 | 类似代替 | IPB47N10SL26ATMA1和IPB47N10SL-26的区别 |