IPB80N04S2H4ATMA1

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IPB80N04S2H4ATMA1概述

D2PAK N-CH 40V 80A

N-Channel 40V 80A Tc 300W Tc Surface Mount PG-TO263-3-2


得捷:
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


IPB80N04S2H4ATMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 300W Tc

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 80A

上升时间 63 ns

输入电容Ciss 4400pF @25VVds

下降时间 22 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3-2

外形尺寸

封装 TO-263-3-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPB80N04S2H4ATMA1
型号: IPB80N04S2H4ATMA1
描述:D2PAK N-CH 40V 80A
替代型号IPB80N04S2H4ATMA1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IPB80N04S2H4ATMA1

Infineon 英飞凌

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