IPB100N04S303ATMA1

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IPB100N04S303ATMA1概述

N沟道 40V 100A

表面贴装型 N 通道 40 V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-3-2


立创商城:
N沟道 40V 100A


得捷:
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3


贸泽:
MOSFET N-CHANNEL_30/40V


艾睿:
Increase the current or voltage in your circuit with this IPB100N04S303ATMA1 power MOSFET from Infineon Technologies. Its maximum power dissipation is 214000 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This device utilizes optimos technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin2+Tab TO-263


TME:
Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 100A; 214W


Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3


IPB100N04S303ATMA1中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 214 W

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 9600pF @25VVds

额定功率Max 214 W

下降时间 17 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 214W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Thus OptiMOS-T2 40V products based on Infineon’s advanced trench technology will be the benchmark for next generation of automotive applications in energy efficiency, CO2 reduction, e-drives., OptiMOS-T2 40V addresses all kind of EPS motor control, 3-phase and H-bridge motors, HVAC fan control, elec

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPB100N04S303ATMA1
型号: IPB100N04S303ATMA1
描述:N沟道 40V 100A
替代型号IPB100N04S303ATMA1
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