IPB120N10S403ATMA1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IPB120N10S403ATMA1概述

N-CH 100V 120A

表面贴装型 N 通道 100 V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3

得捷:
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive

IPB120N10S403ATMA1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 250W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 120A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 10120pF @25VVds

下降时间 40 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

IPB120N10S403ATMA1引脚图与封装图

IPB120N10S403ATMA1引脚图

IPB120N10S403ATMA1封装图

IPB120N10S403ATMA1封装焊盘图

在线购买IPB120N10S403ATMA1

型号： IPB120N10S403ATMA1

制造商： Infineon 英飞凌

描述：N-CH 100V 120A