Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPB80P03P405ATMA1, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET
**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。
增强型模式
雪崩等级
低切换和传导功率损耗
无铅引线电镀；符合 RoHS 标准
标准封装
OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C
得捷:
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
欧时:
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPB80P03P405ATMA1, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
贸泽:
MOSFET P-CHANNEL
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
通道数 1
极性 P-CH
耗散功率 137W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 80A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 10300pF @25VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 137W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Bridge configuration could be realized with 30V P-Channel as high side device with no need of charge pump, High-Side MOSFETs for motor bridges half-bridges, H-bridges, 3-phase-motors
RoHS标准
含铅标准 无铅