IPB100N04S2L03ATMA1概述
D2PAK N-CH 40V 100A
表面贴装型 N 通道 40 V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
得捷:
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
IPB100N04S2L03ATMA1中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 2.1 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 300 W
阈值电压 1.2 V
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 51 ns
输入电容Ciss 6000pF @25VVds
下降时间 27 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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