IPD70N03S4L04ATMA1

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IPD70N03S4L04ATMA1概述

INFINEON  IPD70N03S4L04ATMA1  晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 70 A, 30 V, 0.0036 ohm, 10 V, 1.5 V

OptiMOS™ T2 功率 MOSFET

Infineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET ,可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。

OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式

AEC 合格

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

绿色产品(符合 RoHS 标准)

IPD70N03S4L04ATMA1中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.0036 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 68 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 30A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 750pF @25VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 31000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 OptiMOS-T 40V addresses to small loads control switching 3-phase and H-bridge motors, electric pumps, etc. especially in combination with PWM control., Body applications

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IPD70N03S4L04ATMA1
型号: IPD70N03S4L04ATMA1
描述:INFINEON  IPD70N03S4L04ATMA1  晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 70 A, 30 V, 0.0036 ohm, 10 V, 1.5 V
替代型号IPD70N03S4L04ATMA1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IPD70N03S4L04ATMA1

Infineon 英飞凌

当前型号

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STD40NF03LT4

意法半导体

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IPD70N03S4L04ATMA1和STD40NF03LT4的区别

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