INFINEON IPP65R190C7FKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V
CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 650V 13A TO220-3
欧时:
Infineon CoolMOS C7 系列 Si N沟道 MOSFET IPP65R190C7FKSA1, 13 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
立创商城:
N沟道 650V 13A
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 700V 13A 3-Pin TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; 72W; PG-TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Newark:
# INFINEON IPP65R190C7FKSA1 MOSFET Transistor, N Channel, 13 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V
额定功率 72 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.168 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 72 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 13A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 1150pF @400VVds
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 72W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 15.95 mm
高度 4.57 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 通信与网络, 电源管理, 替代能源, 工业, Communications & Networking, Alternative Energy, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17