IPD90N04S403ATMA1

IPD90N04S403ATMA1图片1
IPD90N04S403ATMA1图片2
IPD90N04S403ATMA1图片3
IPD90N04S403ATMA1图片4
IPD90N04S403ATMA1图片5
IPD90N04S403ATMA1图片6
IPD90N04S403ATMA1图片7
IPD90N04S403ATMA1图片8
IPD90N04S403ATMA1概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 40 V, 0.0027 ohm, 10 V, 3 V

表面贴装型 N 通道 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3-313


得捷:
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3


欧时:
Infineon MOSFET IPD90N04S403ATMA1


立创商城:
N沟道 40V 90A


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 40 V, 0.0027 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin2+Tab TO-252


Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


IPD90N04S403ATMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0027 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 94 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 90A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 5260pF @25VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 94W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 OptiMOS-T 40V addresses to small loads control switching 3-phase and H-bridge motors, electric pumps, etc. especially in combination with PWM control., Body applications

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IPD90N04S403ATMA1
型号: IPD90N04S403ATMA1
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 40 V, 0.0027 ohm, 10 V, 3 V

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台