IPP60R160P6XKSA1

IPP60R160P6XKSA1图片1
IPP60R160P6XKSA1图片2
IPP60R160P6XKSA1图片3
IPP60R160P6XKSA1图片4
IPP60R160P6XKSA1图片5
IPP60R160P6XKSA1图片6
IPP60R160P6XKSA1概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 23.8 A, 600 V, 0.144 ohm, 10 V, 4 V

通孔 N 通道 600 V 23.8A(Tc) 176W(Tc) PG-TO220-3


得捷:
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-3


欧时:
Infineon MOSFET IPP60R160P6XKSA1


立创商城:
N沟道 600V 23.8A


贸泽:
MOSFET HIGH POWER_LEGACY


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 23.8 A, 600 V, 0.144 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600MinV 23.8A 3-Pin TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


IPP60R160P6XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 176 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.144 Ω

极性 N-CH

耗散功率 176 W

阈值电压 4 V

输入电容 2080 pF

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 23.8A

上升时间 7.6 ns

输入电容Ciss 2080pF @100VVds

下降时间 5.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 176W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 PWM stages TTF, LLC for, , telecom rectifier,, PFC stages for

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPP60R160P6XKSA1
型号: IPP60R160P6XKSA1
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 23.8 A, 600 V, 0.144 ohm, 10 V, 4 V

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司