HEXFET® P 通道功率 MOSFET，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 P 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。
P 通道功率 MOSFET 100V 至 150V，
Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
### MOSFET ，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
额定功率 66 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.205 Ω
极性 P-CH
耗散功率 66 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 13A
上升时间 58 ns
输入电容Ciss 760pF @25VVds
额定功率Max 66 W
下降时间 46 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 66W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 车用, Power Management, Automotive, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRFR5410TRPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
AUIRFR5410 英飞凌 | 完全替代 | IRFR5410TRPBF和AUIRFR5410的区别 |
IRFR5410TRRPBF 英飞凌 | 完全替代 | IRFR5410TRPBF和IRFR5410TRRPBF的区别 |
IRFR5410PBF 英飞凌 | 类似代替 | IRFR5410TRPBF和IRFR5410PBF的区别 |