INFINEON IPW65R019C7FKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 75 A, 650 V, 0.017 ohm, 10 V, 3.5 V
CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET
欧时:
Infineon CoolMOS C7 系列 Si N沟道 MOSFET IPW65R019C7FKSA1, 75 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装
得捷:
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
立创商城:
N沟道 650V 75A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 75A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650MinV 75A 3-Pin TO-247 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 75A; 446W; PG-TO247-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 700V 75A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Newark:
# INFINEON IPW65R019C7FKSA1 MOSFET Transistor, N Channel, 75 A, 650 V, 0.017 ohm, 10 V, 3.5 V
额定功率 446 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.017 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 446 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 75A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 9900pF @400VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 446W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.13 mm
宽度 21.1 mm
高度 5.21 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 电源管理, 通信与网络, 替代能源, Computers & Computer Peripherals, 计算机和计算机周边, Communications & Networking, Alternative Energy, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17