Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPB50R299CPATMA1, 12 A, Vds=550 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
CoolMOS™CP 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 550V 12A TO263-3
欧时:
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPB50R299CPATMA1, 12 A, Vds=550 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 550V 12A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 550V 12A 3-Pin TO-263 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 104W; PG-TO263-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 550V 12A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 550V 12A TO-263
额定功率 104 W
极性 N-Channel
耗散功率 104 W
漏源极电压Vds 550 V
连续漏极电流Ids 12.0 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 1190pF @100VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 104W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3-2
长度 10.31 mm
宽度 9.45 mm
高度 4.572 mm
封装 TO-263-3-2
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 无铅