IPA65R660CFDXKSA1概述
PG-TO220 整包
CoolMOS™ CFD 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 650V 6A TO220
欧时:
Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPA65R660CFDXKSA1, 6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin3+Tab TO-220 Full-Pak Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 27.8W; TO220FP
IPA65R660CFDXKSA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 27.8 W
极性 N-CH
耗散功率 27.8W Tc
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 6A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 615pF @100VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 27.8W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.65 mm
宽度 4.85 mm
高度 16.15 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
在线购买IPA65R660CFDXKSA1