晶体管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 V
表面贴装型 N 通道 600 V 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
立创商城:
N沟道 600V 10.6A
得捷:
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 10.6 A, 0.342 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600MinV 10.6A 3-Pin TO-252 T/R
Chip1Stop:
600V COOLMOS P6 POWER TRANSISTOR
针脚数 3
漏源极电阻 0.342 Ω
极性 N-CH
耗散功率 83 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 10.6A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 877pF @100VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 PFC stages for, , telecom rectifier,, PWM stages TTF, LLC for
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IPD60R380P6ATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD60R380P6BTMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPD60R380P6ATMA1和IPD60R380P6BTMA1的区别 |