IPD60R380P6ATMA1

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IPD60R380P6ATMA1概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 V

表面贴装型 N 通道 600 V 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3


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N沟道 600V 10.6A


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MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3


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功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 10.6 A, 0.342 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装


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Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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Trans MOSFET N-CH 600MinV 10.6A 3-Pin TO-252 T/R


Chip1Stop:
600V COOLMOS P6 POWER TRANSISTOR


IPD60R380P6ATMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.342 Ω

极性 N-CH

耗散功率 83 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 10.6A

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 877pF @100VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 PFC stages for, , telecom rectifier,, PWM stages TTF, LLC for

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IPD60R380P6ATMA1
型号: IPD60R380P6ATMA1
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 V
替代型号IPD60R380P6ATMA1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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