INFINEON IPD30N03S4L09ATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 30 V, 0.0073 ohm, 10 V, 1.5 V
OptiMOS™ T2 功率 MOSFET
Infineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET ，可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。
OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
N 通道 - 增强模式
AEC 合格
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色产品（符合 RoHS 标准）
针脚数 3
漏源极电阻 0.0073 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 42 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 30A
上升时间 1 ns
输入电容Ciss 1170pF @15VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 42000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 OptiMOS-T 40V addresses to small loads control switching 3-phase and H-bridge motors, electric pumps, etc. especially in combination with PWM control., Body applications
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPD30N03S4L09ATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD135N03L G 英飞凌 | 类似代替 | IPD30N03S4L09ATMA1和IPD135N03L G的区别 |
IPD135N03LGATMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPD30N03S4L09ATMA1和IPD135N03LGATMA1的区别 |