N沟道 VDS=55V VGS=±20V ID=17A P=47W
表面贴装型 N 通道 55 V 17A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3-11
欧时:
Infineon MOSFET IPD14N06S280ATMA2
得捷:
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-31
立创商城:
N沟道 55V 17A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 17A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 17A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
极性 N-CH
耗散功率 47 W
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 17A
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 293pF @25VVds
额定功率Max 47 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 47W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3-11
封装 TO-252-3-11
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Valves control, Solenoids control, Lighting, Single-ended motors
RoHS标准
含铅标准 无铅
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IPD14N06S280ATMA2 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD14N06S280ATMA1 英飞凌 | 功能相似 | IPD14N06S280ATMA2和IPD14N06S280ATMA1的区别 |