Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD110N12N3GATMA1, 75 A, Vds=120 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上
立创商城:
N沟道 120V 75A
得捷:
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD110N12N3GATMA1, 75 A, Vds=120 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
贸泽:
MOSFET TRENCH >=100V
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 120 V, 75 A, 0.0092 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 120V 75A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin TO-252 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 120V 75A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0092 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 136 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 120 V
连续漏极电流Ids 75A
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 3240pF @60VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 136W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.41 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 通信与网络, 电源管理, 工业, Class D audio amplifiers, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Audio, 电机驱动与控制, 音频, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Motor Drive & Control, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Communications & Networking, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPD110N12N3GATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD110N12N3GBUMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPD110N12N3GATMA1和IPD110N12N3GBUMA1的区别 |
FDD86110 飞兆/仙童 | 功能相似 | IPD110N12N3GATMA1和FDD86110的区别 |