Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列Infineon** OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列
Infineon 得捷:
MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
欧时:
### Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列Infineon** OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
贸泽:
MOSFET MV POWER MOS
艾睿:
As an alternative to traditional transistors, the IPD78CN10NGBUMA1 power MOSFET from Infineon Technologies can be used to both amplify and switch electronic signals. Its maximum power dissipation is 31000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This device utilizes optimos 2 technology.
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin2+Tab TO-252 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
极性 N-Channel
耗散功率 31 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 13A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 538pF @50VVds
下降时间 3 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 31W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.41 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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