IPD600N25N3GBTMA1概述
DPAK N-CH 250V 25A
表面贴装型 N 通道 25A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
得捷:
MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 250V 25A DPAK-2 OptiMOS 3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO252-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
IPD600N25N3GBTMA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 136 W
极性 N-Channel
耗散功率 136 W
漏源极电压Vds 250 V
连续漏极电流Ids 25A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 2350pF @100VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 136W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
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