Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPP65R660CFDXKSA1, 6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
CoolMOS™ CFD 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
欧时:
Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPP65R660CFDXKSA1, 6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 6A TO220-3 CoolMOS CFD2
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 62.5W; PG-TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 6A TO220
额定功率 62.5 W
通道数 1
漏源极电阻 594 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 62.5 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
连续漏极电流Ids 6A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 615pF @100VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 62.5W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅