N沟道 650V 3.9A
表面贴装型 N 通道 3.9A（Tc） 36.7W（Tc） PG-TO252-3
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N沟道 650V 3.9A
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MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3
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MOSFET LOW POWER_LEGACY
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MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Opt
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Trans MOSFET N-CH 650MinV 3.9A 3-Pin TO-252 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; 36.7W; PG-TO252-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 3.9A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
额定功率 36.7 W
极性 N-CH
耗散功率 36.7 W
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
连续漏极电流Ids 3.9A
上升时间 6.5 ns
输入电容Ciss 380pF @100VVds
下降时间 13.8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 36.7W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPD65R950CFDATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD65R950CFDBTMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPD65R950CFDATMA1和IPD65R950CFDBTMA1的区别 |
IPD78CN10NGBUMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPD65R950CFDATMA1和IPD78CN10NGBUMA1的区别 |