IPW65R280C6FKSA1

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IPW65R280C6FKSA1概述

Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW65R280C6FKSA1, 13.8 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3


欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW65R280C6FKSA1, 13.8 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 13.8 A, 650 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247


IPW65R280C6FKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 104 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.25 Ω

极性 N-CH

耗散功率 104 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 13.8A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 950pF @100VVds

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 104W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

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型号: IPW65R280C6FKSA1
描述:Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW65R280C6FKSA1, 13.8 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装

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