Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPP100N10S305AKSA1, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
OptiMOS™T 功率 MOSFET
OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
N 通道 - 增强模式
符合汽车 AEC Q101 规格
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色产品（符合 RoHS 标准）
立创商城:
N沟道 100V 100A
得捷:
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3-1
欧时:
Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPP100N10S305AKSA1, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
极性 N-CH
耗散功率 300W Tc
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 8900pF @25VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3-1
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 9.25 mm
封装 TO-220-3-1
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
制造应用 48V DC/DC, HID lighting, 48V inverter
RoHS标准
含铅标准 无铅