Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R520C6ATMA1, 8.1 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252-3
欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R520C6ATMA1, 8.1 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
CoolMOS™ C6 combines Infineon"s experience as the leading Superjunction MOSFET supplier with Best-in-Class innovation. The C6 devices provide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, compact, lighter and cooler.
富昌:
600V, 22A, 0.52OMH, DPAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252
极性 N-CH
耗散功率 66 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 8.1A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 512pF @100VVds
额定功率Max 66 W
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 66W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.41 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IPD60R520C6ATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
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