Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
立创商城:
N沟道 600V 3.2A
欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R1K4C6ATMA1, 3.2 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 600 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 3.2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 3.2A 3-Pin TO-252 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 3.2A 3-Pin2+Tab TO-252 T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3 / N-Channel 600 V 3.2A Tc 28.4W Tc Surface Mount PG-TO252-3
针脚数 3
漏源极电阻 1.26 Ω
极性 N-CH
耗散功率 28.4 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 3.2A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 200pF @100VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 28.4W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.41 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 无铅
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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