IPD60R1K4C6ATMA1

IPD60R1K4C6ATMA1图片1
IPD60R1K4C6ATMA1图片2
IPD60R1K4C6ATMA1图片3
IPD60R1K4C6ATMA1图片4
IPD60R1K4C6ATMA1图片5
IPD60R1K4C6ATMA1图片6
IPD60R1K4C6ATMA1图片7
IPD60R1K4C6ATMA1概述

Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3


立创商城:
N沟道 600V 3.2A


欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R1K4C6ATMA1, 3.2 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 600 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 3.2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 3.2A 3-Pin TO-252 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 3.2A 3-Pin2+Tab TO-252 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3 / N-Channel 600 V 3.2A Tc 28.4W Tc Surface Mount PG-TO252-3


IPD60R1K4C6ATMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 1.26 Ω

极性 N-CH

耗散功率 28.4 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 3.2A

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 200pF @100VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 28.4W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.41 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IPD60R1K4C6ATMA1
型号: IPD60R1K4C6ATMA1
描述:Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
替代型号IPD60R1K4C6ATMA1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IPD60R1K4C6ATMA1

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

IPD50R1K4CEBTMA1

英飞凌

类似代替

IPD60R1K4C6ATMA1和IPD50R1K4CEBTMA1的区别

IPD60R1K4C6

英飞凌

类似代替

IPD60R1K4C6ATMA1和IPD60R1K4C6的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台