Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP90R500C3XKSA1, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220封装
CoolMOS™C3 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 900V 11A TO220-3
欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP90R500C3XKSA1, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
富昌:
900V, 6.8A, 0.5 Ohms, TO-220
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6.8A; 156W; PG-TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 900V 11A TO-220
额定功率 156 W
极性 N-Channel
耗散功率 156 W
漏源极电压Vds 900 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 1700pF @100VVds
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 156W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3-1
长度 10.36 mm
宽度 15.95 mm
高度 4.57 mm
封装 TO-220-3-1
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free