IPI041N12N3GAKSA1

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IPI041N12N3GAKSA1概述

TO-262 N-CH 120V 120A

通孔 N 通道 120 V 120A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3


得捷:
MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3


贸泽:
MOSFET N-Ch 120V 120A I2PAK-3 OptiMOS 3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin3+Tab TO-262 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin3+Tab TO-262


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO262-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin3+Tab TO-262 Tube


IPI041N12N3GAKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 300 W

通道数 1

漏源极电阻 3.2 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 300 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 120 V

漏源击穿电压 120 V

连续漏极电流Ids 120A

上升时间 52 ns

输入电容Ciss 13800pF @60VVds

下降时间 21 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.2 mm

宽度 4.5 mm

高度 9.45 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Class D audio amplifiers, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IPI041N12N3GAKSA1
型号: IPI041N12N3GAKSA1
描述:TO-262 N-CH 120V 120A

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