IPI030N10N3GHKSA1

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IPI030N10N3GHKSA1概述

TO-262 N-CH 100V 100A

通孔 N 通道 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3


得捷:
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin3+Tab TO-262


IPI030N10N3GHKSA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 300W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 58 ns

输入电容Ciss 14800pF @50VVds

下降时间 28 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPI030N10N3GHKSA1
型号: IPI030N10N3GHKSA1
描述:TO-262 N-CH 100V 100A
替代型号IPI030N10N3GHKSA1
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IPI030N10N3GHKSA1和IPI030N10N3GXKSA1的区别

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